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La mwcaspettrometria di massa di ioni secondari, indicata comunemente con l'mwcqacronimo mwcgSIMS, dall'mwcwinglese mwdasecondary ion mass spectrometry è una tecnica di mwdqspettrometria di massa utilizzata per la caratterizzazione di superfici. Consiste nel bombardare il campione con un fascio di mwdgioni (detti mwdwioni primari) ed analizzare gli ioni prodotti dal bombardamento (mweaioni secondari). La tecnica SIMS garantisce un'altissima sensibilità nel rilevare sostanze presenti in traccia (mweqppm-mwegppb) e un'eccellente risoluzione in profondità (3÷10 mwewnm).

• Storia

• SIMS statico e SIMS dinamico

• Microscope e microprobe mode

• Il processo SIMS

• Erosione del campione

• Estrazione degli ioni secondari

• L'apparecchiatura SIMS

• Sistema da vuoto

• Sorgenti ioniche

• Colonna primaria

• Colonna secondaria

• Selettore energetico

• Selettore in massa (spettrometro)

• Rivelatori

• Applicazioni

• Bibliografia

• Voci correlate

• Altri progetti

• Collegamenti esterni

Le origini della spettrometria SIMS risalgono all'inizio del mwfwXX secolo, con gli esperimenti di sir mwgaJoseph John Thomson sugli effetti degli ioni positivi su superfici metalliche e la costruzione del primo mwgqspettrometro di massa (mwgg1912). Il primo strumento di analisi SIMS venne realizzato negli mwgwanni sessanta per conto della mwhaNASA, al fine di analizzare la distribuzione spaziale e mwhqisotopica di tutti gli mwhgelementi dall'mwhwidrogeno all'mwiauranio delle rocce mwiqlunari che erano state riportate sulla mwigTerra. La tecnica SIMS si è poi evoluta ed è attualmente una tecnica standard assai diffusa nel campo dell'industria dei mwiwsemiconduttori, in particolare per la caratterizzazione di mwjagiunzioni e impiantazioni ioniche. Più recentemente la spettrometria di ioni secondari (specialmente il cosiddetto SIMS-statico) si è affermata in svariati campi: dell'analisi geochimica e cosmochimica all'archeologia e all'investigazione giudiziaria.

La spettrometria di massa di ioni secondari è generalmente una mwkatecnica distruttiva, poiché interagisce con il campione alterandolo. A seconda dell'intensità del processo di erosione si fa però distinzione tra mwkqSIMS dinamico e mwkgSIMS statico, nel caso in cui la superficie analizzata non venga modificata durante l'analisi.

Il SIMS dinamico, pur essendo una tecnica distruttiva, ha una maggiore sensibilità e permette la mwlaquantificazione dei risultati. L'interazione del fascio primario (in genere ioni Omwlq- oppure Csmwlg+) con il campione avviene in condizioni più riproducibili nel SIMS dinamico. Utilizzando ioni primari mwlwO- si favorisce la creazione di ioni secondari positivi e lo strato ossidato preesistente sul campione perde la sua influenza. Gli ioni di mwmqcesio, l'elemento con il più basso mwmgpotenziale di ionizzazione, favoriscono la creazione di ioni secondari negativi. In questo modo il SIMS dinamico è meno suscettibile agli effetti di matrice rispetto al SIMS statico.

In realtà anche nel SIMS statico si ha alterazione della superficie del campione, sebbene essa sia assai limitata (in particolare utilizzando un fascio primario defocalizzato). Nel SIMS statico sono necessari tempi di analisi (tempi di erosione) di alcune ore per consumare interamente un solo strato molecolare.

Il metodo di lavoro del mwwaSIMS statico si chiama mwwqmicroscope mode, cioè modo da mwwgmicroscopio. Le analisi puntuali, come quelle fatte nel mwwwSIMS dinamico, invece, sono fatte in mwxamicroprobe mode cioè come una microsonda.

Nella tecnica SIMS il campione viene posto in una camera ad alto vuoto (10mwxw−5÷10mwya−9 Pa) e bombardato con un fascio di ioni primari a media energia (1÷100 mwyqkeV). Il bombardamento provoca l'emissione di materiale (atomi, molecole, ioni molecolari, ecc.) dalla superficie del campione (processo di mwygerosione o mwywmwzasputtering). La gran parte del materiale emesso è elettricamente neutro; una piccola frazione (circa l'1%) è invece ionizzata, positivamente o negativamente: le particelle emesse con mwzqcarica elettrica sono dette mwzgioni secondari. Gli ioni secondari sono emessi solo dagli strati superficiali del campione (1÷10mwzw nm di profondità). Gli ioni secondari sono successivamente analizzati da uno spettrometro di massa; gli ioni della massa selezionata vengono raccolti da un rivelatore. L'output del rivelatore è inviato ad un computer, che può mostrare i dati sotto forma di profili di profondità della composizione chimica del campione, mappe elementali della superficie del campione, spettri di massa.

Il processo di erosione del campione viene effettuato attraverso bombardamento di atomi o ioni con mwawtecniche a spruzzo.

Gli ioni secondari che lasciano il campione vengono raccolti da un estrattore e focalizzati verso lo spettrometro vero e proprio. Il fascio di ioni secondari attraversa dapprima un apparato che funge da prisma dispersivo in mwbwenergia cinetica, in modo da poter selezionare solo gli ioni di energia cinetica opportuna. Quindi entrano nello mwcaspettrometro di massa, che agisce da prisma dispersivo in massa e permette di convogliare sui rivelatori soltanto gli ioni di massa opportuna.

Un apparecchio per l'analisi SIMS è costituito dalle seguenti componenti:

Mantiene nella camera del SIMS l'alto vuoto necessario per il suo funzionamento

L'apparecchiatura per la generazione del fascio primario

I vari sistemi di focalizzazione e guida del fascio primario

Formata dalla lente di estrazione e dai sistemi di focalizzazione del fascio di ioni secondari verso il selettore in energia

Permette di selezionare gli ioni secondari di energia cinetica opportuna

Permette di selezionare gli ioni secondari secondo la loro massa

Sono gli apparati che misurano il numero di ioni secondari che escono dal selettore in massa.

Spesso nella descrizione delle tecniche SIMS e dell'apparato di misura si trascura o sottintende il fatto che tutte le operazioni avvengono in condizioni di vuoto spinto (10mwha−5÷10mwhq−9 Pa). Tali condizioni sono necessarie per due motivi: prima di tutto, nell'analisi SIMS, gli ioni secondari devono viaggiare per diversi centimetri senza subire deviazioni a causa degli urti con molecole dell'ambiente; in secondo luogo, poiché la spettrometria SIMS è una tecnica di superficie molto sensibile, si deve evitare l'mwhgadsorbimento di molecole ambientali da parte del campione.

Oltre ad una pompa meccanica per il raggiungimento del vuoto primario, si utilizzano generalmente una o più pompe turbomolecolari (a seconda delle dimensioni dell'apparecchio). Nel SIMS dinamico non sono necessarie condizioni di vuoto estremo, poiché la corrente di ioni secondari è relativamente intensa e quindi la presenza di gas residui influisce in modo minore. Nel SIMS statico invece è necessario un vuoto migliore di qualche ordine di grandezza e dunque il sistema da vuoto è spesso più articolato.

Le pompe sono collocate nei punti dove la condizione di vuoto spinto è più cruciale: in prossimità della sorgente del fascio primario, per garantirne la purezza e stabilità, vicino al campione da analizzare, per ridurre le eventuali contaminazioni introdotte dal/sul campione e in prossimità dei rivelatori, per abbattere la corrente di buio.

All'interno della camera da vuoto sono in genere presenti un vacuometro a termocoppia (misura del vuoto primario) e un vacuometro a ionizzazione (misura del vuoto spinto) per il monitoraggio delle condizioni di lavoro.

Mentre in origine si utilizzavano fasci primari formati da ioni di mwjagas nobili (tipicamente mwjqAr+), oggi si preferisce utilizzare ioni mwjwO-, Omwkq2+ e mwkgCs+ (o mwlaGa+) poiché questi garantiscono una migliore efficienza del processo di ionizzazione.

Le più diffuse sorgenti di mwlwplasma sono: mwmaduoplasmatron, catodo cavo, bombardamento elettronico (di solito con filamenti di mwmgW o mwmwIr) e uso di radiofrequenze.

La sorgente tipica per gli ioni O è il mwnqduoplasmatron. Al suo interno viene creato un mwngplasma di ioni Omwnw- e Omwoa2+, che vengono estratti tramite l'applicazione di un mwoqcampo elettrico. A seconda della polarità del campo di estrazione è quindi possibile produrre un fascio primario negativo o positivo. Il duoplasmatron può funzionare, almeno virtualmente, con qualsiasi tipo di mwoggas.

La mwpasorgente ionica a metallo liquido è utilizzata per la produzione di ioni Gamwpq+. Questo tipo di sorgente garantisce le migliori prestazioni in fatto di mwpgluminosità e mwpwcollimazione del fascio primario. È composta da un ago di mwqatungsteno di 10 mwqqµm di diametro immerso parzialmente in un bagno di metallo liquido; il metallo bagna l'ago e risale per mwqgcapillarità. Vicino alla punta dell'ago si trova un elettrodo di estrazione: a causa del mwqwpotenziale elettrostatico e delle forze di mwratensione superficiale, si forma un mwrqcono di Taylor sulla punta dell'ago. Se il campo elettrico è sufficientemente intenso si ha emissione di ioni positivi dalla punta del cono. La sorgente è esposta a contaminazione da parte dei gas residui della camera e alla formazione di irregolarità sul cono (probabilmente dovute a ossidazione).

La mwrwsorgente a ionizzazione superficiale è la più diffusa sorgente di ioni Csmwsa+. Gli ioni sono prodotti dalla vaporizzazione del cesio attraverso un setto poroso di tungsteno (mwsqeffetto termoionico).

Gli spettrometri SIMS montano in genere almeno due sorgenti di ioni primari di natura diversa, tipicamente un duoplasmatron e una sorgente termoionica a Cs o una pistola a metallo liquido (Ga). Il fascio primario attraversa innanzitutto un settore magnetico che agisce da filtro di massa, eliminando le eventuali impurità, e dirige il fascio verso le lenti elettrostatiche di condensazione e focalizzazione, che controllano l'intensità e la dimensione del fascio primario.

In prossimità del campione si trovano i deflettori elettrostatici, che consentono di muovere il fascio primario sul campione ed eventualmente di effettuare una scansione nel caso si voglia acquisire una mappa elementale della superficie. Il processo di scansione permette di distribuire uniformemente l'intensità del fascio su un'ampia zona del campione, garantendo la formazione di crateri di erosione più omogenei.

Il sistema di raccolta degli ioni secondari è composto essenzialmente da due parti: innanzitutto un intenso campo di estrazione riduce la dispersione degli ioni secondari, dovuta alla loro distribuzione angolare ed energetica iniziale, e seleziona la polarità degli ioni che raggiungeranno lo spettrometro. Quindi una sezione di accoppiamento consente un compromesso tra l'emittanza del fascio secondario e l'accettanza angolare dello spettrometro.

La prima lente, detta mwualente di immersione, raccoglie gli ioni secondari e li convoglia verso la mwuqlente di trasferimento che li focalizza verso l'ingresso dello spettrometro di massa. I mwugdeflettori di emittanza dinamica lavorano in modo sincrono con i deflettori del fascio primario e consentono di allineare verso lo spettrometro gli ioni secondari a mano a mano che il fascio primario effettua la scansione del campione. All'ingresso dello spettrometro un mwuwdiaframma di contrasto esclude dall'analisi gli ioni con traiettorie troppo inclinate, riducendo così le aberrazioni (ma anche la trasmissività dello strumento).

Il fascio secondario viene poi monocromatizzato, selezionando gli ioni di opportuna energia cinetica tramite un mwvgsettore elettrostatico, un apparecchio che deflette gli ioni proporzionalmente alla loro energia cinetica. Il mwvwsettore elettrostatico è composto da due settori sferici posti ad una differenza di potenziale che è generalmente un decimo del voltaggio di estrazione (10V-1000V).

All'interno del settore elettrostatico si ha equilibrio tra la forza centripeta e la forza elettrostatica: mwwq(mvmwwg2/r = qE). Per un dato campo elettrico mwwwE, il raggio di curvatura mwxar dipende dall'energia cinetica mwxqK della particella: mwxgr = mvmwxw2/qE = K∙2/qE. Una slitta mobile con una fenditura consente di selezionare solo gli ioni deviati con un determinato raggio di curvatura, ovvero di una certa energia cinetica prestabilita. Grazie alla sfericità del selettore, il trasferimento dell'immagine dal campione ai successivi apparati avviene con una distorsione minima. Inoltre, a causa della curvatura, tutti i prodotti di erosione elettricamente neutri non riescono a superare il settore elettrostatico e sono impediti dall'entrare nel selettore di massa.

L'acromaticità della separazione di massa è ottenuta accoppiando il settore elettrostatico con quello magnetico attraverso una lente che focalizza il fascio in uscita dal selettore di energia cinetica nel punto acromatico del settore magnetico.

Per ottenere la selezione in massa degli ioni secondari è possibile utilizzare uno spettrometro di massa a mwzaquadrupolo o uno spettrometro a mwzqsettore magnetico. Per entrambi gli apparati la selezione degli ioni avviene secondo il rapporto m/q una volta fissati il campo magnetico B e l'energia cinetica degli ioni entranti: in base alla risoluzione dello spettrometro è possibile separare il segnale degli ioni molecolari dal segnale degli ioni atomici con la stessa massa (difetto di massa); è possibile separare ioni che hanno lo stesso segnale m/q (ione doppio carico e ione singolo carico con massa doppia).

L'analizzatore a quadrupolo è un apparecchio che agisce da filtro di massa, dipendente da parametri elettrici e sensibile al rapporto mw0qm/q. Per una determinata configurazione di alimentazione del quadrupolo, solo gli ioni con un determinato mw0gm/q riescono a passare e sono trasmessi ai rivelatori.

L'analizzatore a quadrupolo è costituito da quattro sbarre conduttive parallele; le sbarre opposte sono connesse allo stesso potenziale e le due coppie hanno potenziale mw1aP opposto, costituito da una componente continua ed un'alternata: mw1qP(t) = ±[ U + V cos(ωt)]. Per ciascuna combinazione di mw1gU, mw1wV e mw2aω solo gli ioni con un determinato mw2qm/q hanno una traiettoria stabile e riescono a passare. Cambiando sequenzialmente i parametri di lavoro, è possibile permettere il passaggio di ioni con differenti mw2gm/q.

Uno spettrometro a quadrupolo non può analizzare ioni che arrivano con un'elevata energia cinetica; di qui la necessità di un selettore di energia cinetica a monte del dispositivo. Inoltre, per ridurre gli effetti di bordo del campo elettrico del quadrupolo e migliorarne la trasmissività, si aggiungono alle estremità delle sbarre principali delle sbarre addizionali più corte.

Il settore magnetico agisce come un prisma dispersivo in massa: gli ioni entranti sono deviati dal campo magnetico ed escono con una traiettoria che dipende soltanto dal rapporto mw3wm/q.

Per un dato campo magnetico mw4qB, il raggio di curvatura mw4gr dipende dal rapporto massa su carica e vale la relazione: mw4wm/q = rmw5a2∙Bmw5q2/2V dove V è il potenziale di accelerazione degli ioni. Una slitta mobile con una fenditura posta in uscita dal dispositivo consente di selezionare solo gli ioni deviati con un determinato raggio di curvatura, ovvero con una certa massa.

Gli spettrometri a settore magnetico più recenti usano una configurazione "a facce non-normali" per l'ingresso e l'uscita degli ioni: con questa configurazione le distorsioni del campo alle estremità del settore magnetico comprimono il fascio nella direzione normale al moto, garantendo una maggiore trasmissività e una migliore focalizzazione in uscita.

Attraversato lo spettrometro, il fascio attraversa una serie di lenti di proiezione, che si attivano quando si desidera acquisire una mappa elementale diretta del un campione focalizzando il fascio secondario sul rivelatore a mwaqimicrochannel plate. In modalità standard, gli ioni secondari sono invece deviati da un settore elettrostatico verso i rivelatori: un mwaqmelettromoltiplicatore o un mwaqqpozzo di Faraday. Il settore elettrostatico funge anche da filtro per le particelle neutre che si sono generate per l'urto di uno ione secondario contro le pareti e che contribuirebbero ad aumentare il rumore dei rivelatori. L'mwaquelettromoltiplicatore è il dispositivo più sensibile: quando il fascio di secondari è troppo intenso, il mwaqypozzo di Faraday viene spostato automaticamente davanti ad esso in modo da raccogliere e misurare la corrente ionica.

Gli mwaqgelettromoltiplicatori più precisi (e costosi) sono quelli a dinodi, tuttavia le prestazioni del mwaqkchannel electron multiplier e il minor costo lo rendono un'alternativa spesso utilizzata negli apparecchi SIMS. Il mwaqochannel electron multiplier è costituito da un cono rivestito di materiale mwaqssemiconduttore. I capi del mwaqwchannel electron multiplier sono mantenuti ad un'elevata differenza di potenziale (l'ingresso è a terra per permettere la raccolta di ioni di entrambe le polarità); gli ioni secondari incidenti sulle pareti del mwaq0channel electron multiplier provocano l'emissione di mwaq4elettroni, che viene amplificata per effetto cascata. L'amplificazione del mwaq8channel electron multiplier è elevata (10mwara8): per ogni ione incidente si genera alla fine del cono una scarica elettrica, che viene registrata dal sistema di conteggio. Il segnale di buio dei mwarechannel electron multiplier è molto basso (circa un conteggio al secondo) e il tempo di desaturazione è di circa 10mwari−6 s. Le prestazioni dei mwarmchannel electron multiplier decrescono nel tempo e sono fortemente compromesse da utilizzo in regime di saturazione.

I rivelatori ionici per la generazione di immagini dirette sono in genere composti da una serie di piccoli mwaruchannel electron multiplier disposti lungo un piano. I microchannel plate utilizzati negli strumenti SIMS hanno un diametro di circa 2000 canali e ciascun canale è largo circa 10mwary µm e lungo 400mwarc µm. Il diametro complessivo del rivelatore è di circa 25mwarg mm. Per ottenere un guadagno di 106 si accoppiano due microchannel plates, disposti uno sopra l'altro. Collegando l'uscita dei microchannel plate ad uno schermo si ottiene facilmente un'immagine in tempo reale della mwarkcomposizione chimica del campione.

Le applicazioni più diffuse per la spettrometria SIMS dinamica sono l'acquisizione di profili di profondità e la caratterizzazione di impiantazioni ioniche nell'ambito dell'industria dei semiconduttori. Grazie alla possibilità di effettuare scansioni con il fascio primario a mano a mano che si penetra in profondità, si possono acquisire informazioni tridimensionali sulla composizione chimica dei campioni. Utilizzando spettrometri a settore magnetico dotati di più rivelatori, è inoltre possibile acquisire profili di profondità per diversi elementi contemporaneamente e con un'elevatissima sensibilità. In questo modo si riescono a caratterizzare anche campioni composti da diversi strati di materiale diverso.

La spettrometria SIMS consente inoltre di acquisire spettri di massa dei campioni analizzati, nonché immagini. In particolare, tramite i microchannel plate si può avere un'immagine in tempo reale della composizione elementale del campione, mentre tramite scansione si ottengono mappe più accurate. Disattivando il filtro di massa è possibile acquisire immagini topografiche analoghe a quelle ottenute mediante microscopia SEM.

Il SIMS statico trova applicazione soprattutto nel campo dei beni culturali.

• mwat4Kenneth A. Rubinson, Judith F. Rubinson, Chimica analitica strumentale, 1ª ed., Bologna, Zanichelli, luglio 2002, ISBN 88-08-08959-2.

• mwaumSpettrometria di massa

• mwauuSIMS dinamico

• mwaucSIMS statico

Altri progetti

• Wikimedia Commons

• Wikimedia Commons contiene immagini o altri file su spettrometria di massa di ioni secondari

• mwauw(EN) Tutorial sulla SIMS, su cea.com.